單晶硅基于 MEMS（微機電）技術(shù)的壓力傳感器，它是建立在微米/納米基礎(chǔ)上，在單晶硅片上刻融制作惠斯登電橋（Wheatstone bridge）組成的硅應(yīng)變計，經(jīng)500℃以上高溫熔化玻璃，將硅應(yīng)變片燒結(jié)在17－4PH不銹鋼傳感彈性體上，彈性體受壓變形后產(chǎn)生電信號，由帶微處理器的數(shù)字補償放大電路進行放大，經(jīng)數(shù)字軟件進行全智能溫度補償，輸出標(biāo)準(zhǔn)信號。在標(biāo)準(zhǔn)凈化生產(chǎn)過程中，參數(shù)嚴(yán)格受控，避免了溫度、濕度及機械疲勞的影響，具有頻響高、工作溫度寬等特點，保證了傳感器在工業(yè)惡劣環(huán)境中使用的長期穩(wěn)定性。

　　壓電壓力傳感器原理

　　壓電壓力傳感器中主要使用的壓電材料包括有石英、酒石酸鉀鈉和磷酸二氫胺。其中石英（二氧化硅）是一種天然晶體，壓電效應(yīng)就是在這種晶體中發(fā)現(xiàn)的，在一定的溫度范圍之內(nèi)，壓電性質(zhì)一直存在，但溫度超過這個范圍之后，壓電性質(zhì)完全消失（這個高溫就是所謂的“居里點”）。

　　壓電效應(yīng)是壓電傳感器的主要工作原理，壓電傳感器不能用于靜態(tài)測量，因為經(jīng)過外力作用后的電荷，只有在回路具有無限大的輸入阻抗時才得到保存。實際的情況不是這樣的，所以這決定了壓電傳感器只能夠測量動態(tài)的應(yīng)力。

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